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EM603-8 IC Stripline TEM Cell (DC-8 GHz, up to 1 kV)

EM603-8 IC带状线TEM小室（DC-8GHz，高达1kV）

ESDEMC 的 EM603-8 是一款 8 GHz IC 带状线 TEM 小室，可产生电磁场，用于测试 IC、无线通信模块等小型设备。通过 EM603-8 的输入端口施加的外部测试信号会在小室内产生一致且可预测的 TEM 测试场。也可以使用测试接收器通过端口，检测来自在小室中器件所发射的辐射场。

独特的紧凑且经济的设计针对超出标准 TEM 小室频率范围的中等精度测量进行了优化。 EM603-8 的工作原理与 TEM小室基本相同。测试体积内的 E-H 场与输入电压成正比，与电场高度成反比。如果在单元内部插入辐射物体，则朝向输入端口的辐射波由传输线引导，并在输入端被接收器（例如频谱分析仪）拾取。使用这种方法，可以定量测量来自辐射设备的 RFI。由于该设备的带宽较大，因此在 EMI、EMS、接收机灵敏度测试等领域有许多应用。

 特点：

  • 高达 8 GHz 的带宽（高于正常 TEM 小室的1 GHz带宽）
  • 可在 53 dBm 注入功率（最大额定值）下测试高达 12.5 kV/m的电压

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描述

1.描述

ESDEMC 的 EM603-8 是一款 8 GHz IC 带状线 TEM 小室，可产生电磁场，用于测试 IC、无线通信模块等小型设备。通过 EM603-8 的输入端口施加的外部测试信号会在小室内产生一致且可预测的 TEM 测试场。也可以使用测试接收器通过端口，检测来自在小室中器件所发射的辐射场。

独特的紧凑且经济的设计针对超出标准 TEM 小室频率范围的中等精度测量进行了优化。 EM603-8 的工作原理与 TEM小室基本相同。测试体积内的 E-H 场与输入电压成正比，与电池高度成反比。如果在单元内部插入辐射物体，则朝向输入端口的辐射波由传输线引导，并在输入端被接收器（例如频谱分析仪）拾取。使用这种方法，可以定量测量来自辐射设备的 RFI。由于该设备的带宽较大，因此在 EMI、EMS、接收机灵敏度测试等领域有许多应用。

2.特点

  • 高达 8 GHz 的带宽（高于正常 TEM 小室的1 GHz带宽）
  • 可在 53 dBm 注入功率（最大额定值）下测试高达 12.5 kV/m的电压

3.应用

  • IC的电磁抗扰度测试
  • IC的电磁辐射测试
  • IC的ESD/浪涌磁场敏感性测试
  • IEC 61967-8:2011 集成电路 – 电磁辐射测量，150 kHz 至 3 GHz – 第 8 部分：辐射发射测量 – IC 带状线方法
  • IEC 61967-2 集成电路 – 电磁辐射测量，150 kHz 至 1 GHz– 第 2 部分：辐射发射的测量 – TEM 小室和宽带 TEM 小室方法
  • IEC 62132-8 集成电路 – 电磁抗扰度的测量 – 第 8 部分：辐射抗扰度的测量 – IC 带状线法

SAE 1752-3 集成电路辐射发射的测量 – TEM/宽带TEM (GTEM) 小室法； TEM 小室（150 kHz 至 1 GHz）、宽带 TEM 小室（150 kHz 至 8 GHz）

4.规格

参数 数值
频率范围 DC – 8 GHz (第一个尖峰出现在 8 GHz之后)
TEM 小室阻抗 标称50 Ω ± 5%
VSWR DC- 3 GHz <1.2

3 – 8 GHz <1.5
插入损耗 (S21) DC – 8 GHz <1 dB
回波损耗（S11 和 S22） DC- 3 GHz >20 dB

3 – 8 GHz >14 dB
有效隔垫到壁高 8.0 mm
电场中心的电场强度 125 V/m @ 1V (最大 125 kV/m @ 1kV)
电场中心的 H 场强度 = 电场强度/377 (A/m)
射频连接器 SMA
最大输入功率 200 W-rms， 53dBm
最大输入电压 100 V-rms,    40 dBV,   1 kV TLP脉冲
DUT 端口尺寸 40 (W) x 40 (D) mm
建议最大DUT尺寸 24 (L) x 24 (W) x 2 (H) mm
TEM小室尺寸 120 (W) x 52 (D) x 20 (H) mm
重量 约 0.5 kg

5.订购信息

编号 型号 描述 状态
1 EM603-8 EM603 IC 带状线 TEM小室, DC-8 GHz 可订购

 

文档

EM603-8 IC 带状线 TEM 单元数据手册（PDF）