ESDEMC 的 EM603-10 是直流至 10 GHz 的 IC-Stripline TEM 单元，可产生电磁场，用于测试 IC、无线通信模块等小型设备。通过 EM603-10 的输入端口施加外部测试信号，可在电场内部产生一致且可预测的 TEM 测试场。设备在 TEM 单元内发射的辐射场可通过端口使用测试接收器进行测量。
独特的紧凑型经济设计经过优化，可用于标准 TEM Cell 频率范围以外的中等精度测量。EM603-10 的工作原理与 TEM Cell 基本相同。测试体积内的 E-H 场与输入电压成正比，与电场高度成反比。如果在样品池内插入一个辐射物体，向输入端口的辐射波会被传输线引导，并在输入端用接收器（如频谱分析仪）进行测量。利用这种方法，可以定量测量设备的射频辐射。由于这种仪器的频带非常宽，因此在 EMI、EMS、接收器灵敏度测试等领域应用广泛。
ESDEMC 的 EM603-10 是直流至 10 GHz 的 IC-Stripline TEM 单元，可产生电磁场，用于测试 IC、无线通信模块等小型设备。通过 EM603-10 的输入端口施加外部测试信号，可在电场内部产生一致且可预测的 TEM 测试场。设备在 TEM 单元内发射的辐射场可通过端口使用测试接收器进行测量。
独特的紧凑型经济设计经过优化，可用于标准 TEM Cell 频率范围以外的中等精度测量。EM603-10 的工作原理与 TEM Cell 基本相同。测试体积内的 E-H 场与输入电压成正比，与电场高度成反比。如果在样品池内插入一个辐射物体，向输入端口的辐射波会被传输线引导，并在输入端用接收器（如频谱分析仪）进行测量。利用这种方法，可以定量测量设备的射频辐射。由于这种仪器的频带非常宽，因此在 EMI、EMS、接收器灵敏度测试等领域应用广泛。
| 参数 | 数值 |
| 频率范围 | DC – 10 GHz (第一个尖峰出现在 10 GHz之后) |
| TEM 小室阻抗 | 标称50 Ω ± 5% |
| VSWR | DC- 10 GHz <1.2 |
| 插入损耗 (S21) | DC – 10 GHz <1 dB |
| 回波损耗（S11 和 S22） | DC- 10 GHz >20 dB |
| 有效隔垫到壁高 | 6.4 mm |
| 电场中心的电场强度 | 110 V/m @ 1V (max 15.6 kV/m @ 200 W-rms, 156 kV/m @ 1 kV pulse) |
| 电场中心的 H 场强度 | = 电场强度/377 (A/m) |
| 射频连接器 | SMA |
| 最大输入功率 | 200 W-rms， 53dBm |
| 最大输入电压 | 100 V-rms, 40 dBV, 1 kV TLP脉冲 |
| DUT 端口尺寸 | 42 (W) x 42 (D) mm |
| 建议最大DUT尺寸 | 18.92 (L) x 18.92 (W) x 3.2 (H) mm |
| TEM小室尺寸 | 113 (W) x 52 (L) x 16.7 (H) mm |
| 重量 | 约 0.5 kg |
| 编号 | 型号 | 描述 | 状态 |
| 1 | EM603-10 | EM603 IC 带状线 TEM小室, DC-10 GHz | 可订购 |
